Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A 104 W, 8-Pin PQFN 5 x 6, Drain-Source-Widerstand max.: 14,9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IRFH5210TRPBF
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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A 104 W, 8-Pin PQFN 5 X 6
Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A 104 W, 8-Pin PQFN 5 X 6 | |
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