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STMicroelectronics SCT N-Kanal, SMD MOSFET-Modul 650 V / 98 A, 7-Pin H2PAK-7

About The : 0,02 Ω, Channel-Modus: Depletion, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: SiC, MPN: SCTH100N65G2-7AG

STMicroelectronics SCT N-Kanal, SMD MOSFET-Modul 650 V / 98 A, 7-Pin H2PAK-7, Drain-Source-Widerstand max.: 0,02 Ω, Channel-Modus: Depletion, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: SiC, MPN: SCTH100N65G2-7AG

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

STMicroelectronics SCT N-Kanal, SMD MOSFET-Modul 650 V / 98 A, 7-Pin H2PAK-7

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of STMicroelectronics SCT N-Kanal, SMD MOSFET-Modul 650 V / 98 A, 7-Pin H2PAK-7

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