Onsemi MJD45H11T4G SMD, PNP Transistor –80 V / -8 A 90 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin
About The : +150 °C.: 5 V, Abmessungen: 2
onsemi MJD45H11T4G SMD, PNP Transistor –80 V / -8 A 90 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin, Verlustleistung max.: 1,75 W, Gleichstromverstärkung min.: 60, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V, Abmessungen: 2.38 x 6.73 x 6.22mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren
Onsemi MJD45H11T4G SMD, PNP Transistor –80 V / -8 A 90 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren
Specifications of Onsemi MJD45H11T4G SMD, PNP Transistor –80 V / -8 A 90 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
