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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 9,3 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 9,3 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: AUIRFR4292TRL

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 9,3 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,345 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: AUIRFR4292TRL

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 9,3 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 9,3 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 9,3 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
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