Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 320 A, 7-Pin D2PAK-7, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0016 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: AUIRF2804STRL7P
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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 320 A, 7-Pin D2PAK-7
Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 320 A, 7-Pin D2PAK-7 | |
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