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DiodesZetex N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 200 MA 625 MW, 3-Pin TO-92

About The : 10 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2

DiodesZetex N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 200 mA 625 mW, 3-Pin TO-92, Drain-Source-Widerstand max.: 10 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 4.77mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: ZVN3310A

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

DiodesZetex N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 200 MA 625 MW, 3-Pin TO-92

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Specifications of DiodesZetex N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 200 MA 625 MW, 3-Pin TO-92

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DiodesZetex N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 200 MA 625 MW, 3-Pin TO-92
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    • HellermannTyton WIC0 Kabel-Markierer, Blau, Ø 2mm - 2.8mm, Kabeldurchmesserbereich: 2 → 2.8mm, MPN: 561-00716 WIC0--PA66-BU
    • HellermannTyton WIC0 Kabel-Markierer, Beschriftung: N, Gelb, Ø 2mm - 2.8mm, Kabeldurchmesserbereich: 2 → 2.8mm, MPN: 561-00144 WIC0-N-PA66-YE
    • HellermannTyton WIC0 Kabel-Markierer, Beschriftung: N, Blau, Ø 2mm - 2.8mm, Kabeldurchmesserbereich: 2 → 2.8mm, MPN: 561-00146 WIC0-N-PA66-BU
    • Schurter IEC-Steckerfilter, 10A, 250 V ac, Schraubhalterung, Serie: DG12, Abmessungen: 35 x 81.6 x 76mm, MPN: 3-109-573
    • DiodesZetex N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 200 mA 625 mW, 3-Pin TO-92, Drain-Source-Widerstand max.: 10 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 4.77mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: ZVN3310A
    • DiodesZetex N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 320 mA 700 mW, 3-Pin TO-92, Drain-Source-Widerstand max.: 3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 4.77mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: ZVNL110ASTZ
    • DiodesZetex N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 200 mA 625 mW, 3-Pin TO-92, Drain-Source-Widerstand max.: 10 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 4.77mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: ZVN3310A
    • DiodesZetex N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 320 mA 700 mW, 3-Pin TO-92, Drain-Source-Widerstand max.: 3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 4.77mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: ZVNL110ASTZ