Global Laser Laserdiodentreiber Eval Laser Driver Kit N-Typ, 100mA

Name: Global Laser | Global Laser Laserdiodentreiber Eval Laser Driver Kit N-Typ, 100mA, Lasertyp: CW, Versorgungsspannung Max.: 5.5V dc, Versorgungsspannung Min.: 3.5V dc, Versorgungsspannung: 3.5 → 5.5 V Dc
Brand: Global Laser
SKU: ABDT-78299
Price: 215.00 EUR
Availability: InStock

About The : 3.5 → 5

Global Laser Laserdiodentreiber Eval Laser Driver Kit N-Typ, 100mA, Lasertyp: CW, Versorgungsspannung max.: 5.5V dc, Versorgungsspannung min.: 3.5V dc, Versorgungsspannung: 3.5 → 5.5 V dc

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Displays und Optoelektronik > Lasermodule und Komponenten > Laser-Treiber

Vishay Analoger Schalter, 16-Pin, SOIC, 5 bis 36 V- einzeln, ±5 to ±20V- bipolar, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 10 x 4 x 1.55mm, Betriebstemperatur max.: +85 °C, Betriebstemperatur min.: -40 °C, Stromversorgungs-Typ: Dual, Single, Eingangssignal-Typ: Single Ended, Versorgungsspannung bipolar typ.: ±5 → ±20V, MPN: DG445DY-T1-E3

STMicroelectronics Operationsverstärker High-Speed SMD SOIC, biplor typ. ±12 V, ±15 V, ±18 V, ±3 V, ±5 V, ±9 V, 8-Pin

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Specifications of Global Laser Laserdiodentreiber Eval Laser Driver Kit N-Typ, 100mA
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Last Updated December 21st, 2024 02:19 am

Global Laser Laserdiodentreiber Eval Laser Driver Kit N-Typ, 100mA

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DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1 A 900 mW, 3-Pin X2-DFN1006, Drain-Source-Widerstand max.: 700 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 0.9V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±12 V, Länge: 1.05mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: DMN2450UFB4-7R

DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1 A 900 mW, 3-Pin X2-DFN1006.

Wurth Elektronik WE-MK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 15 nH 600mA mit Keramik-Kern, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm / ±5%,, Tiefe: 0.8mm, Abmessungen: 1.6 x 0.8 x 0.8mm, Geschirmt: Nein, Gleichstromwiderstand max.: 550mΩ, Resonanzfrequenz max.: 2.9GHz, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.: +120°C, MPN: 744786115

6mm / ±5%,.

Nexperia PUMH9,135 SMD, NPN/NPN Digitaler Transistor Dual 50 V / 100 mA, SOT-363 6-Pin, Verlustleistung max.: 300 mW, Transistor-Konfiguration: Zwei Sockel, Basis-Emitter Spannung max.: 6 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 2, Abmessungen: 2.2 x 1.35 x 1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Eingangswiderstand typ.: 10 kΩ, Widerstandsverhältnis: 4,7

Nexperia PUMH9,135 SMD, NPN/NPN Digitaler Transistor Dual 50 V / 100 mA, SOT-363 6-Pin.

Bopla Elegant Polystyrol Gehäuse Grau Außenmaß 100 x 54 x 30mm IP 40, Länge (Außen): 100 mm, Höhe (Außen): 30 mm, Breite (Außen): 54 mm, Mit Flansch: Nein, Gewicht: 48g, MPN: 32103010 EG 1030 L

Bopla Elegant Polystyrol Gehäuse Grau Außenmaß 100 x 54 x 30mm IP 40.