Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 48 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
About The : 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IRFZ44ESTRLPBF.Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 48 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max
Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 48 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,023 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IRFZ44ESTRLPBF
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 48 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 48 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
