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RS PRO Steckernetzteil 30W, 90 → 264V, 24V Dc / 1.3A Medizin-Zulassung, IEC 320-C14 Anschluss

About The RS PRO Steckernetzteil 30W, 90 → 264V, 24V dc / 1.3A Medizin-Zulassung, IEC 320-C14 Anschluss, Ausgangsspannung: 24V dc, Temperatur max

RS PRO Steckernetzteil 30W, 90 → 264V, 24V dc / 1.3A Medizin-Zulassung, IEC 320-C14 Anschluss, Ausgangsspannung: 24V dc, Temperatur max.: +70°C, Ausgangsanschluss: 2,1 x 5,5 x 12 mm (Pin +), Kabellänge: 1800mm, Medizintechnische Zulassung: Ja, Betriebsdauer: 100000h, Erfüllte Normen: CB, CE, CSA C22.2 No.60601-1-14, cULus-Zulassung, EN 55011 (CISPR11), EN 60601-1, EN 60601-1-2, ES 60601-1 (R2012), FC, IEC 60601-1, TÜV

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Tempatron Zeitrelais, Steckanschluss, 0.01 → 99.9 min, 0.01 → 99.9 h, 0.1 → 99.9s, 18 →, Versorgungsspannung: 18 → 264 V ac, 18 → 300V dc, Anzahl der Zeitfunktionen: Multifunktion, Kontaktanordnung: 1-poliger Wechsler, Zeitabschnitt: Stunden, Minuten, Sekunden, Spannung (max.): 30 V dc, 240V ac, Anschluss Typ: 11-poliger Steckverbinder, Spannungsversorgung: Extern, Breite: 48mm, Tiefe: 89.5mm, Betriebstemperatur max.: +60°C, MPN: UDT
    • Hammond Eddystone Aluminium Gehäuse Eddystone Natur Außenmaß 188 x 120 x 82mm IP54, Gehäusematerial: Aluminiumdruckguss, Länge (Außen): 188 mm, Höhe (Außen): 82 mm, Breite (Außen): 120 mm, Mit Flansch: Nein, Abgeschirmt: Ja, Gewicht: 640g, MPN: 26357PSLA
    • Souriau Sunbank by Eaton CL Rundsteckverbinderkontakt Signal Buchse Größe 20 / 5A, für Steckverbinder, Serie Clipper, Drahtgröße: 22→ 20 AWG, Anschlussart: Crimp, Kontaktbeschichtung: Gold über Nickel, Kontaktmaterial: Kupferlegierung, Kontaktwiderstand (max.): 10mΩ, Betriebstemperatur min.: -40°C, Betriebstemperatur (max.): +125°C, Montagetyp: Kabelmontage, MPN: CF10SC10RF
    • Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 14 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IRF9530NSTRLPBF
    • Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 14 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IRF9530NSTRLPBF