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Texas Instruments NexFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 76 A, 8-Pin VSONP

About The 65V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: CSD25402Q3A.: 8,9e+006 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Texas Instruments NexFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 76 A, 8-Pin VSONP, Drain-Source-Widerstand max.: 8,9e+006 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 0.65V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: CSD25402Q3A

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Texas Instruments NexFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 76 A, 8-Pin VSONP

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Specifications of Texas Instruments NexFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 76 A, 8-Pin VSONP

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