Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 360 mA 500 mW, 3-Pin SC-59, Drain-Source-Widerstand max.: 2,2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 20 V, Länge: 3mm, MPN: BSR316PH6327XTSA1
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Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 360 MA 500 MW, 3-Pin SC-59
Specifications of Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 360 MA 500 MW, 3-Pin SC-59 | |
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