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ASSMANN WSW Buchse Schwarz Jumper Steckbrücke 2-polig, Raster 2.54mm, Länge 6.5mm, Oben Geschlossen

About The 54mm, Länge 6.

ASSMANN WSW Buchse Schwarz Jumper Steckbrücke 2-polig, Raster 2.54mm, Länge 6.5mm, Oben geschlossen, Anzahl der Reihen: 1, Tiefe: 2.44mm, Kontaktmaterial: Messing, Kontaktbeschichtung: Zinn, Ausrichtung: Gerade, Kontaktwiderstand (max.): 30mΩ, MPN: AKSCT/Z BLACK

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Steckverbinder > Leiterplatten Steckverbinder & Gehäuse > Jumper

ASSMANN WSW Buchse Schwarz Jumper Steckbrücke 2-polig, Raster 2.54mm, Länge 6.5mm, Oben Geschlossen

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Specifications of ASSMANN WSW Buchse Schwarz Jumper Steckbrücke 2-polig, Raster 2.54mm, Länge 6.5mm, Oben Geschlossen

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ASSMANN WSW Buchse Schwarz Jumper Steckbrücke 2-polig, Raster 2.54mm, Länge 6.5mm, Oben Geschlossen
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SKF 4-Loch Flanschlager aus Gusseisen, Innen-Ø 125mm, 51mm x 193mm, MPN: FYJ 514

SKF 4-Loch Flanschlager aus Gusseisen, Innen-Ø 125mm, 51mm x 193mm, MPN: FYJ 514

SKF 4-Loch Flanschlager aus Gusseisen, Innen-Ø 125mm, 51mm x 193mm.

    • ASSMANN WSW Buchse Schwarz Jumper Steckbrücke 2-polig, Raster 2mm, Oben offen, Anzahl der Reihen: 1, Breite: 3.9mm, Tiefe: 4.3mm, Kontaktmaterial: Messing, Kontaktbeschichtung: Gold, Ausrichtung: Gerade, Kontaktwiderstand (max.): 30mΩ, MPN: AKSO-200/G
    • STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 3,5 A 30 W, 3-Pin TO-220FP, Drain-Source-Widerstand max.: 3,7 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.4mm, MPN: STF5NK100Z
    • STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 8,3 A 230 W, 3-Pin TO-247, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 1,38 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 20.15mm, MPN: STW11NK100Z
    • STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 8,3 A 230 W, 3-Pin TO-247, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 1,38 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 20.15mm, MPN: STW11NK100Z