Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7

Name: Infineon | Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7, Drain-Source-Widerstand Max.: 4,4 MΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung Max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung Min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung Max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.31mm, MPN: IPB025N10N3 G
Brand: Infineon
SKU: ABDT-89679
Price: 7.15 EUR
Availability: InStock

About The : 4,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7, Drain-Source-Widerstand max.: 4,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.31mm, MPN: IPB025N10N3 G

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

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Schutzinger 4 mm Bananenbuchse Rot, Kontakt vernickelt, 1000V / 20A PC-Stift, Länge: 24.5mm, Kontaktmaterial: Messing, Isoliermaterial: Nylon, MPN: LB 4-1.5 S Ni / 5 / RT

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7
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Last Updated January 22nd, 2025 04:00 am

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7

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MENNEKES AM-TOP Leistungssteckverbinder Buchse Rot 4P, 400 V / 32A, Kabelmontage IP 67.

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Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 270Ω ±1% / 0.25W ±100ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse.

Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 270Ω ±1% / 0.25W ±100ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: CRCW1206270RFKEA

Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 270Ω ±1% / 0.

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7

About The : 4,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7

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Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 270Ω ±1% / 0.25W ±100ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: CRCW1206270RFKEA

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