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Nexperia THT Schottky Diode, 50V / 200mA, 2-Pin DO-34

About The Nexperia THT Schottky Diode, 50V / 200mA, 2-Pin DO-34, Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Schottky-Diode, Maximaler Spannungsabfall: 900mV, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 4ns, Durchmesser: 1.6mm, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 5A, MPN: BAT86,113

Nexperia THT Schottky Diode, 50V / 200mA, 2-Pin DO-34, Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Schottky-Diode, Maximaler Spannungsabfall: 900mV, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 4ns, Durchmesser: 1.6mm, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 5A, MPN: BAT86,113

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Schottky-Dioden und Gleichrichter

Nexperia THT Schottky Diode, 50V / 200mA, 2-Pin DO-34

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Specifications of Nexperia THT Schottky Diode, 50V / 200mA, 2-Pin DO-34

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Nexperia THT Schottky Diode, 50V / 200mA, 2-Pin DO-34
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Yageo MFR Festwert Metallschichtwiderstand, Axial 750Ω ±1% / 0.5W, MPN: MFR50SFTE52-750R

Yageo MFR Festwert Metallschichtwiderstand, Axial 750Ω ±1% / 0.5W, MPN: MFR50SFTE52-750R

5W.Yageo MFR Festwert Metallschichtwiderstand, Axial 750Ω ±1% / 0.

    • ams OSRAM SMD NPN Fototransistor IR, UV, sichtbares Licht, 350nm → 970nm / 25μA, 3-Pin DIP, Anzahl der Kanäle: 1, Lichtstrom max.: 25µA, Dunkelstrom max.: 3nA, Empfindlichkeit-Halbwertswinkel: 120 °, Montage Typ: Oberflächenmontage, Abmessungen: 2.1 x 2.7 x 1.05mm, Kollektorstrom: 20mA, Empfindlichkeit im Spektralbereich: 350 → 970 nm, MPN: SFH 3410-3/4-Z
    • KOA Metallschicht SMD-Widerstand 15kΩ ±0.1% / 0.1W 25ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: RN73R1JTTD1502B25
    • onsemi 2SA2124-TD-E SMD, PNP Transistor –30 V / –2 A 440 MHz, PCP 3-Pin, Verlustleistung max.: 3,5 W, Gleichstromverstärkung min.: 200, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: -30 V, Basis-Emitter Spannung max.: -6 V, Abmessungen: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • onsemi 2SA2124-TD-E SMD, PNP Transistor –30 V / –2 A 440 MHz, PCP 3-Pin, Verlustleistung max.: 3,5 W, Gleichstromverstärkung min.: 200, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: -30 V, Basis-Emitter Spannung max.: -6 V, Abmessungen: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C