onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 38 A 28 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669, Drain-Source-Widerstand max.: 17,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: NVMYS010N04CLTWG
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Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 38 A 28 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669
Specifications of Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 38 A 28 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669 | |
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