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Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 38 A 28 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

About The onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 38 A 28 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669, Drain-Source-Widerstand max.: 17,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 38 A 28 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669, Drain-Source-Widerstand max.: 17,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: NVMYS010N04CLTWG

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 38 A 28 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

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Specifications of Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 38 A 28 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

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