Vishay E N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 12 A, 4-Pin PowerPAK 8 X 8
About The : 3 → 5V, MPN: SIHH240N60E-T1-GE3.Vishay E N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 12 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max
Vishay E N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 12 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,208 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 3 → 5V, MPN: SIHH240N60E-T1-GE3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay E N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 12 A, 4-Pin PowerPAK 8 X 8
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Specifications of Vishay E N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 12 A, 4-Pin PowerPAK 8 X 8 | |
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