Vishay N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 61 A 357 W, 3-Pin TO-247AC

Name: Vishay | Vishay N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 61 A 357 W, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand Max.: 40 MΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung Max.: 5V, Gate-Schwellenspannung Min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung Max.: ±30 V, Länge: 15.87mm, Betriebstemperatur Max.: +150 °C, MPN: SIHG039N60EF-GE3
Brand: Vishay
SKU: ABDU-104064
Price: 11.66 EUR
Availability: InStock

About The 87mm, Betriebstemperatur max.: ±30 V, Länge: 15

Vishay N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 61 A 357 W, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max.: 40 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 15.87mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SIHG039N60EF-GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Nexperia TVS-Diode Uni-Directional Einfach 9.2V 6.4V min., 2-Pin, SMD 5V max SOD-128, Höchstzulässige Pulsverlustleistung: 600W, Impulsspitzen-Strom max.: 65.2A, ESD Schutz: Ja, Betriebstemperatur min.: -55 °C, Abmessungen: 4 x 2.7 x 1.1mm, Betriebstemperatur max.: +185 °C, MPN: PTVS5V0P1UTP

Panasonic FR, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 330μF ±20% / 25V dc, Ø 8mm x 11.5mm, bis 105°C, Kapazität: 330µF, Spannung: 25V dc, Montageart: Radial, Durchsteckmontage, Abmessungen: 8 x 11.5mm, Betriebstemperatur max.: +105°C, Polarisiert: Polar, MPN: EEUFR1E331B

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Vishay N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 61 A 357 W, 3-Pin TO-247AC
Category
Instock	instock

Last Updated December 30th, 2024 06:31 am

Vishay N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 61 A 357 W, 3-Pin TO-247AC

More Varieties

Rating :- 9.91 /10

Votes :- 39

SMC KQB2 M5 x 0.8 x 6-mm-Steckanschluss Steckverbinder, Gewinde-zu-Rohr, M5 x 0,8, MPN: KQB2H06-M5

8 x 6-mm-Steckanschluss Steckverbinder, Gewinde-zu-Rohr, M5 x 0,8.SMC KQB2 M5 x 0.

SMC KQB2 8-mm-Steckanschluss x 8-mm-Steckanschluss Gerader Anschluss, Rohr-zu-Rohr, MPN: KQB2H08-00

SMC KQB2 8-mm-Steckanschluss x 8-mm-Steckanschluss Gerader Anschluss, Rohr-zu-Rohr.

Amphenol Socapex connector,metal circular,str plug w/cable clamp,size 10,6 #20 crimp socket cont, MPN: PT06SE-10-6S(SR)

Amphenol Socapex connector,metal circular,str plug w/cable clamp,size 10,6 #20 crimp socket cont.

TE Connectivity TJT500 Aluminium Lastwiderstand 68Ω ±5% / 500W, Alu Gehäuse Drahtanschluss, -25°C → +250°C, Gehäuse-Form: Aluminiumgehäuse, Abmessungen: 330 x 10 x 80mm, Gesamtlänge: 330mm, Gesamtbreite: 10mm, MPN: TJT50068RJ

TE Connectivity TJT500 Aluminium Lastwiderstand 68Ω ±5% / 500W, Alu Gehäuse Drahtanschluss, -25°C → +250°C.

Nisshinbo Micro Devices Nisshinbo Reflexionslichtschranke Phototransistor-Ausgang 30μs, 4-Pin COBP SMD, Regelanstiegszeit: 30µs, Anzahl der Kanäle: 1, Höhe über Panel: 0.6mm, Länge: 1.6mm, Betriebstemperatur max.: +85°C, Betriebstemperatur min.: -30°C, Breite: 1.3mm, Betriebstemperaturbereich: -30 → +85°C, MPN: NJL5901AR-1-TE1

Nisshinbo Micro Devices Nisshinbo Reflexionslichtschranke Phototransistor-Ausgang 30μs, 4-Pin COBP SMD.

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,9 A 62,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 2,9 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SIHD2N80AE-GE3

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,9 A 62,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252).

Panasonic FR, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 330μF ±20% / 25V dc, Ø 8mm x 11.5mm, bis 105°C, Kapazität: 330µF, Spannung: 25V dc, Montageart: Radial, Durchsteckmontage, Abmessungen: 8 x 11.5mm, Betriebstemperatur max.: +105°C, Polarisiert: Polar, MPN: EEUFR1E331B

Panasonic FR, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 330μF ±20% / 25V dc, Ø 8mm x 11.