Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 62,5 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
About The 25mm, MPN: SIRA06DP-T1-GE3.: –16 V, +20 V, Höhe: 1
Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 62,5 W, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 3,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +20 V, Höhe: 1.12mm, Länge: 6.25mm, MPN: SIRA06DP-T1-GE3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 62,5 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 62,5 W, 8-Pin PowerPAK SO-8 | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
