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Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 4.1 A, 3-Pin SOT-23

About The 188 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.5V, MPN: SQ2389ES-T1_GE3

Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 4.1 A, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 0.188 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, MPN: SQ2389ES-T1_GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 4.1 A, 3-Pin SOT-23

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Specifications of Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 4.1 A, 3-Pin SOT-23

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