Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 4.1 A, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 0.188 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, MPN: SQ2389ES-T1_GE3
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Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 4.1 A, 3-Pin SOT-23
Specifications of Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 4.1 A, 3-Pin SOT-23 | |
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