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Infineon OptiMOS P P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 14,9 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

About The 2V, Gate-Schwellenspannung min.65mm, MPN: BSO201SPHXUMA1

Infineon OptiMOS P P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 14,9 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Gehäusegröße: DSO, Drain-Source-Widerstand max.: 12,9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Höhe: 1.65mm, MPN: BSO201SPHXUMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon OptiMOS P P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 14,9 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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Specifications of Infineon OptiMOS P P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 14,9 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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Infineon OptiMOS P P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 14,9 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
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