Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 9,9 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 280 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min
Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 9,9 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 280 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 2.38mm, Länge: 6.73mm, MPN: IRFR9020TRPBF
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 9,9 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 9,9 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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