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ROHM IMB3AT110 SMD, PNP Digitaler Transistor Dual –50 V / -100 MA, SOT-457 6-Pin

About The ROHM IMB3AT110 SMD, PNP Digitaler Transistor Dual –50 V / -100 mA, SOT-457 6-Pin, Anzahl der Elemente pro Chip: 2

ROHM IMB3AT110 SMD, PNP Digitaler Transistor Dual –50 V / -100 mA, SOT-457 6-Pin, Anzahl der Elemente pro Chip: 2

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren

ROHM IMB3AT110 SMD, PNP Digitaler Transistor Dual –50 V / -100 MA, SOT-457 6-Pin

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Specifications of ROHM IMB3AT110 SMD, PNP Digitaler Transistor Dual –50 V / -100 MA, SOT-457 6-Pin

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TE Connectivity CGPT Wärmeschrumpfschlauch, Polyolefin Schwarz, Ø 25.4mm Schrumpfrate 2:1, Länge 1.2m, Schrumpfdurchmesser: 12.7mm, Hülsen Typ: Wärmeschrumpfend, Kleberbeschichtet: Nein, Betriebstemperaturbereich: -40 → 135 °C, Flammhemmend: Ja, Standards: CSA, UL, MPN: BSP 2540 1.20M
    • ROHM Zenerdiode Isoliert SMD 6.9V / 150 mW max, SOD-523 2-Pin, Zenertyp: Spannungsregler, MPN: EDZVFHT2R6.8B
    • ROHM EMX18T2R SMD, NPN Bipolartransistor Dual 12 V / 500 mA, SOT-563 6-Pin

    ROHM EMX18T2R SMD, NPN Bipolartransistor Dual 12 V / 500 mA, SOT-563 6-Pin

    ROHM EMX18T2R SMD, NPN Bipolartransistor Dual 12 V / 500 mA, SOT-563 6-Pin.

    • Texas Instruments 12-Bit ADC ADS7883SBDBVT, 3Msps SOT-23, 6-Pin, Architektur: SAR, Eingangssignal-Typ: Single Ended, Eingangs-Typ: Spannung, Montage-Typ: SMD, Integrale Nichtlinearität: 1LSB, Digital Interface Typ: Seriell (SPI), Versorgungsspannung einzeln typ.: 3,3 V, Abmessungen: 3.05 x 1.75 x 1.3mm, Betriebstemperatur max.: 125 °C
    • Infineon S25FL Flash-Speicher 256MBit, 32M x 8 Bit, SPI, 8ns, BGA, 24-Pin, 2,7 V bis 3,6 V, Montage-Typ: SMD, Zellen-Typ: NOR, Länge: 8mm, Höhe: 0.95mm, Breite: 6mm, Abmessungen: 8 x 6 x 0.95mm, Betriebstemperatur max.: +105 °C, Betriebstemperatur min.: –40 °C, MPN: S25FL256LAGBHV020
    • TE Connectivity THS50 Wickel Lastwiderstand 33kΩ ±5% / 50W, Alu Gehäuse Lötanschluss, Gehäuse-Form: Aluminiumgehäuse, Anschlussart: Lötöse, Temperaturkoeffizient min.: -30ppm/°C, Temperaturkoeffizient max.: +30ppm/°C, MPN: THS5033KJ
    • ROHM SMD-Widerstand ±1% / 4W, 2010 (5025M) Gehäuse, MPN: GMR50HJBFKR027

    ROHM SMD-Widerstand ±1% / 4W, 2010 (5025M) Gehäuse, MPN: GMR50HJBFKR027

    ROHM SMD-Widerstand ±1% / 4W, 2010 (5025M) Gehäuse.

    • ROHM IMB3AT110 SMD, PNP Digitaler Transistor Dual –50 V / -100 mA, SOT-457 6-Pin, Anzahl der Elemente pro Chip: 2

    ROHM IMB3AT110 SMD, PNP Digitaler Transistor Dual –50 V / -100 mA, SOT-457 6-Pin, Anzahl der Elemente pro Chip: 2

    ROHM IMB3AT110 SMD, PNP Digitaler Transistor Dual –50 V / -100 mA, SOT-457 6-Pin.

    • ROHM SMD-Widerstand ±1% / 4W, 2010 (5025M) Gehäuse, MPN: GMR50HJBFKR027

    ROHM SMD-Widerstand ±1% / 4W, 2010 (5025M) Gehäuse, MPN: GMR50HJBFKR027

    ROHM SMD-Widerstand ±1% / 4W, 2010 (5025M) Gehäuse.

    • ROHM IMB3AT110 SMD, PNP Digitaler Transistor Dual –50 V / -100 mA, SOT-457 6-Pin, Anzahl der Elemente pro Chip: 2

    ROHM IMB3AT110 SMD, PNP Digitaler Transistor Dual –50 V / -100 mA, SOT-457 6-Pin, Anzahl der Elemente pro Chip: 2

    ROHM IMB3AT110 SMD, PNP Digitaler Transistor Dual –50 V / -100 mA, SOT-457 6-Pin.