Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,6 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 235 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Höhe: 1.02mm, MPN: IRLML0100TRPBF
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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,6 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,6 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23 | |
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