Vishay N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 4,3 A 25 W, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 540 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IRFU110PBF
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Vishay N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 4,3 A 25 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
Specifications of Vishay N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 4,3 A 25 W, 3-Pin IPAK (TO-251) | |
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