Toshiba Battery Toshiba DTMOSIV N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 35 A 270 W, 3-Pin TO-247
About The : -30 V, +30 V, Länge: 15.Toshiba Battery Toshiba DTMOSIV N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 35 A 270 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max
Toshiba Battery Toshiba DTMOSIV N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 35 A 270 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 95 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 15.94mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: TK35N65W5,S1F(S
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba Battery Toshiba DTMOSIV N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 35 A 270 W, 3-Pin TO-247
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Specifications of Toshiba Battery Toshiba DTMOSIV N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 35 A 270 W, 3-Pin TO-247 | |
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