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Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 30 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH

About The Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 30 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH, Drain-Source-Widerstand max.: 2

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 30 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH, Drain-Source-Widerstand max.: 5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +20 V, Länge: 3.3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SISHA10DN-T1-GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 30 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH

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Specifications of Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 30 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH

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