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DiodesZetex TVS-Diode Bi-Directional Einfach 14V 6V Min., 2-Pin, SMD 5V Max DFN

About The : –65 °C, Abmessungen: 0., 2-Pin, SMD 5V max DFN, Höchstzulässige Pulsverlustleistung: 84W, Impulsspitzen-Strom max

DiodesZetex TVS-Diode Bi-Directional Einfach 14V 6V min., 2-Pin, SMD 5V max DFN, Höchstzulässige Pulsverlustleistung: 84W, Impulsspitzen-Strom max.: 6A, ESD Schutz: Ja, Betriebstemperatur min.: –65 °C, Abmessungen: 0.64 x 0.34 x 0.32mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: D5V0X1B2LP3-7

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Suppressordioden TVS

DiodesZetex TVS-Diode Bi-Directional Einfach 14V 6V Min., 2-Pin, SMD 5V Max DFN

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Specifications of DiodesZetex TVS-Diode Bi-Directional Einfach 14V 6V Min., 2-Pin, SMD 5V Max DFN

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Vishay SiDR392DP N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A, 8-Pin PowerPAK SO-8DC, Drain-Source-Widerstand max.: 0,00062 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, MPN: SIDR392DP-T1-RE3
    • Vishay MCS Dünnschicht SMD-Widerstand 100kΩ ±1% / 0.1W ±50ppm/K, 0402 (1005M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: MCS04020C1003FE000
    • Nexperia PDTA143ZQB-QZ SMD, PNP Digitaler Transistor 3 -50 V / -100 mA, DFN1110D-3

    Nexperia PDTA143ZQB-QZ SMD, PNP Digitaler Transistor 3 -50 V / -100 mA, DFN1110D-3

    Nexperia PDTA143ZQB-QZ SMD, PNP Digitaler Transistor 3 -50 V / -100 mA, DFN1110D-3.

    • SKF SY 1.TF Stehlagergehäuse aus Gusseisen, 70mm x 130mm, Innen-Ø 25.4mm, Nabe-Höhe: 36.5mm, Größe Montagebohrung: 10mm, Tiefe: 36mm, Montagebohrung Mittenabstand: 102mm
    • SKF SY 1.TF Stehlagergehäuse aus Gusseisen, 70mm x 130mm, Innen-Ø 25.4mm, Nabe-Höhe: 36.5mm, Größe Montagebohrung: 10mm, Tiefe: 36mm, Montagebohrung Mittenabstand: 102mm