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STMicroelectronics BUL1102EFP THT, NPN Transistor 450 V / 8 A, TO-220FP 3-Pin

About The 4mm, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.4 x 4

STMicroelectronics BUL1102EFP THT, NPN Transistor 450 V / 8 A, TO-220FP 3-Pin, DC Kollektorstrom max.: 4 A, 8 A (Spitze), Montage-Typ: Durchsteckmontage, Verlustleistung max.: 70 W, Gleichstromverstärkung min.: 12, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 12 V, Abmessungen: 10.4 x 4.6 x 16.4mm, Länge: 10.4mm, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.: 1,5 V

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren

STMicroelectronics BUL1102EFP THT, NPN Transistor 450 V / 8 A, TO-220FP 3-Pin

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Specifications of STMicroelectronics BUL1102EFP THT, NPN Transistor 450 V / 8 A, TO-220FP 3-Pin

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