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DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 500 MA 360 MW, 3-Pin X2-DFN0806

About The DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 500 mA 360 mW, 3-Pin X2-DFN0806, Drain-Source-Widerstand max.: 1,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 500 mA 360 mW, 3-Pin X2-DFN0806, Drain-Source-Widerstand max.: 1,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 0.65mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: DMN1260UFA-7B

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 500 MA 360 MW, 3-Pin X2-DFN0806

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Specifications of DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 500 MA 360 MW, 3-Pin X2-DFN0806

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