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Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14,9 A, 8-Pin SO-8

About The : 2.: 0,0205 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14,9 A, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0205 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, MPN: SI4825DDY-T1-GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14,9 A, 8-Pin SO-8

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Specifications of Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14,9 A, 8-Pin SO-8

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