Infineon OptiMOS™ N-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 5 A, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 0,035 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: BSO604NS2XUMA1
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Infineon OptiMOS™ N-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 5 A, 8-Pin SOIC
Specifications of Infineon OptiMOS™ N-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 5 A, 8-Pin SOIC | |
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