Samtec EHT Leiterplatten-Stiftleiste Gewinkelt, 50-polig / 1-reihig, Raster 2.0mm, Kabel-Platine,

Name: Samtec EHT Leiterplatten-Stiftleiste Gewinkelt, 50-polig / 1-reihig, Raster 2.0mm, Kabel-Platine,, Ummantelt/Nicht Ummantelt: Ummantelt, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, Kontaktmaterial: Phosphor Bronze, Kontaktbeschichtung: Gold, MPN: EHT-125-01-L-D-RA | Samtec
Brand: Samtec
SKU: ABDU-11972
Price: 15.08 EUR
Availability: InStock

About The 0mm, Kabel-Platine,, Ummantelt/Nicht ummantelt: Ummantelt, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, Kontaktmaterial: Phosphor Bronze, Kontaktbeschichtung: Gold, MPN: EHT-125-01-L-D-RA.Samtec EHT Leiterplatten-Stiftleiste gewinkelt, 50-polig / 1-reihig, Raster 2

Samtec EHT Leiterplatten-Stiftleiste gewinkelt, 50-polig / 1-reihig, Raster 2.0mm, Kabel-Platine,, Ummantelt/Nicht ummantelt: Ummantelt, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, Kontaktmaterial: Phosphor Bronze, Kontaktbeschichtung: Gold, MPN: EHT-125-01-L-D-RA

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Steckverbinder > Leiterplatten Steckverbinder & Gehäuse > Leiterplatten Header

RS PRO Sub-D Steckverbinder Buchse, 15-polig, Tafelmontage Lötanschluss, Gehäuseausrichtung: Gerade, Steckverbindertyp D: Micro-D, Anschlussart: Löten, Nennstrom: 3A, Gehäusematerial: Aluminium, Betriebsspannung: 250,0 V, Länge: 23.5mm, Breite: 7.57mm, Tiefe: 10.64mm, Kontaktmaterial: Kupferlegierung, Kontaktbeschichtung: Gold, Abmessungen: 23.5 x 7.57 x 10.64mm

STMicroelectronics STB13007DT4 SMD, NPN Transistor 700 V / 16 A, D2PAK (TO-263) 3-Pin, DC Kollektorstrom max.: 8 A, 16 A (Spitze), Verlustleistung max.: 80 W, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 9 V, Abmessungen: 10.4 x 9.35 x 4.37mm, Länge: 10.4mm, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.: 1,6 V

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Specifications of Samtec EHT Leiterplatten-Stiftleiste Gewinkelt, 50-polig / 1-reihig, Raster 2.0mm, Kabel-Platine,
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Last Updated January 31st, 2025 01:59 pm

Samtec EHT Leiterplatten-Stiftleiste Gewinkelt, 50-polig / 1-reihig, Raster 2.0mm, Kabel-Platine,

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SAM P13-J4MM Zange 4-teilig, Zangentyp: Wasserpumpenzange, ESD-sicher: Nein, Spitzen-Art: Feststellbarer Griff

SAM P13-J4MM Zange 4-teilig.

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 17 A D-PAK, MPN: IRFR024NTRPBF

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 17 A D-PAK.

STMicroelectronics TVS-Diode Bi-Directional Einfach 59V 31.4V min., 2-Pin, THT 28.2V max DO-15, Höchstzulässige Pulsverlustleistung: 600W, Impulsspitzen-Strom max.: 68A, Betriebstemperatur min.: –65 °C, Abmessungen: 6.75 x 3.53 x 3.53mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: BZW06-28B

, 2-Pin, THT 28.2V max DO-15.4V min.STMicroelectronics TVS-Diode Bi-Directional Einfach 59V 31.

Panasonic, SMD Aluminium-Elektrolyt Kondensator 1000μF ±20% / 10V dc, Ø 8mm x 10.2mm, bis 105°C, Kapazität: 1000µF, Spannung: 10V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 8 (Dia.) x 10.2mm, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +105°C, Anschlussraster: 3.1mm, Lebensdauer: 2000h, Automobilstandard: AEC-Q200, Äquivalenter Serienwiderstand: 80mΩ, Leckstrom: 100μA, Polarisiert: Polar, MPN: EEEFT1A102AP

2mm, bis 105°C.Panasonic, SMD Aluminium-Elektrolyt Kondensator 1000μF ±20% / 10V dc, Ø 8mm x 10.

DiodesZetex Schaltdiode Einfach 3A 1 Element/Chip SMD 100V SMB 2-Pin 1.15V, Diodenkapazität max.: 40pF, Betriebstemperatur min.: -65 °C, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Länge: 4.57mm, Breite: 3.94mm, Höhe: 2.3mm, Abmessungen: 4.57 x 3.94 x 2.3mm, MPN: S3BB-13-F

DiodesZetex Schaltdiode Einfach 3A 1 Element/Chip SMD 100V SMB 2-Pin 1.15V.

Wurth Elektronik WE-PD4 Drosselspule, 15 μH 2.9A mit Ferrit-Kern 12.7mm / ±20%, 17MHz, Tiefe: 10mm, Höhe: 5mm, Abmessungen: 12.7 x 10 x 5mm, Geschirmt: Nein, Gleichstromwiderstand max.: 60mΩ, Resonanzfrequenz max.: 23MHz, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: 74456115

Wurth Elektronik WE-PD4 Drosselspule, 15 μH 2.9A mit Ferrit-Kern 12.7mm / ±20%, 17MHz.

STMicroelectronics STB13007DT4 SMD, NPN Transistor 700 V / 16 A, D2PAK (TO-263) 3-Pin, DC Kollektorstrom max.: 8 A, 16 A (Spitze), Verlustleistung max.: 80 W, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 9 V, Abmessungen: 10.4 x 9.35 x 4.37mm, Länge: 10.4mm, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.: 1,6 V

STMicroelectronics STB13007DT4 SMD, NPN Transistor 700 V / 16 A, D2PAK (TO-263) 3-Pin.