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Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 38 A 170 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 38 A 170 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 38 A 170 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 60 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 4.83mm, MPN: IRF5210STRLPBF

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Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 38 A 170 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Specifications of Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 38 A 170 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 38 A 170 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Rubycon YXF, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 2200μF ±20% / 25V dc, Ø 16mm x 25mm, bis 105°C, Kapazität: 2200µF, Spannung: 25V dc, Montageart: Radial, Durchsteckmontage, Abmessungen: 16 (Dia.) x 25mm, Betriebstemperatur min.: -40°C, Betriebstemperatur max.: +105°C, Anschlussraster: 7.5mm, Lebensdauer: 10000h, Leckstrom: 3 μA, Brummstrom: 1.85A, MPN: 25YXF2200M16X25
    • Alps Alpine Servo-Potenziometer 15 Impulse/U Inkrementalgeber, mit 5,975 mm, Flachschaftschaft, Digital, Encoder Signal: Digital Rechteck-Signal, Montageart: Durchsteckmontage, Schaftlänge: 17.5mm, Index Ausgang: Nicht indiziert, Montage-Bohrungsdurchmesser: 1.05 mm, 2.1 mm, 2.15 x 2.05 mm, MPN: EC12D1524403
    • Danotherm CBH-165 Wickel Lastwiderstand 100Ω ±10% / 110W, Alu Gehäuse Drahtanschluss, -40°C → +70°C, Gehäuse-Form: Aluminiumgehäuse, Temperaturkoeffizient min.: -100ppm/°C, Temperaturkoeffizient max.: +100ppm/°C, Abmessungen: 165 x 31 x 60mm, Gesamtlänge: 165mm, Gesamtbreite: 31mm, MPN: CBH165C777-100R-KT
    • Kabeltronik Twisted-Pair-Kabel 0,5 mm² Rund Grau, Aderzahl: 12, AWG: 20 AWG, Länge: 100m, Kabeltyp: Steuerung, Distrelec Product Id: 30110258, MPN: LIYY 12 X 0.5 MM2
    • Schneider Electric Installationsdose IP55, BxTxH 121mm x 121mm x 87mm, Better World-Produkt: Ja, Better World-Verifizierung: Green Premium, MPN: ENN05175
    • Schneider Electric Installationsdose IP55, BxTxH 118mm x 118mm x 61mm, MPN: ENN05165

    Schneider Electric Installationsdose IP55, BxTxH 118mm x 118mm x 61mm, MPN: ENN05165

    Schneider Electric Installationsdose IP55, BxTxH 118mm x 118mm x 61mm.

    • Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 38 A 170 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 60 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 4.83mm, MPN: IRF5210STRLPBF
    • DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,4 A 806 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 300 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3.05mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: ZXM61N03FTA
    • Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 38 A 170 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 60 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 4.83mm, MPN: IRF5210STRLPBF
    • DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,4 A 806 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 300 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3.05mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: ZXM61N03FTA