Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 180 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 180 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 4,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 6.5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: TK100S04N1L
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 180 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 180 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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