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Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 65 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 1

Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 65 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 4,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Automobilstandard: AEC-Q101, MPN: TK65S04N1L

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 65 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 65 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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