Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 30 A 6 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 3,9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.55mm, MPN: SI4164DY-T1-GE3
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Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 30 A 6 W, 8-Pin SOIC
Specifications of Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 30 A 6 W, 8-Pin SOIC | |
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