Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 146 A, 8-Pin PowerPAK SO-8
About The .Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 146 A, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max
Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 146 A, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0027 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiR580DP-T1-RE3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 146 A, 8-Pin PowerPAK SO-8
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 146 A, 8-Pin PowerPAK SO-8 | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
