Vishay Siliconix TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Name: Vishay Siliconix | Vishay Siliconix TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Brand: Vishay Siliconix
SKU: ABDU-130642
Price: 11.67 EUR
Availability: InStock

About The : 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

Vishay Siliconix TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 10 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 6.73mm, MPN: SQD40061EL_GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

V12 Footwear Unisex Sicherheitshalbschuhe Blau, mit Zehen-Schutzkappe, Größe 40 / UK 6.5, Serie: Velocity IGS, Schuhgröße US: 7.5, Zehenschutzkappe: Ja, Schuhgröße JP/CN: 25, MPN: V1950/6.5

Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 6 A 27,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 40 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 3.15mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: SQS944ENW-T1_GE3

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Specifications of Vishay Siliconix TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Last Updated February 1st, 2025 06:49 am

Vishay Siliconix TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Siemens, Überspannungsableiter, Durchsteckmontage, Device-Typ: Überspannungsschutz, MPN: 5WG1190-8AD01

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Siemens Thermoplast Frontplatte & Montageplatte Schutzkontakt Buchse, Material: Thermoplastik, Ausführung Typ: Schuko Socket, MPN: 5UB1853-1

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Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 6 A 27,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 40 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 3.15mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: SQS944ENW-T1_GE3

Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 6 A 27,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8.