Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 250 A 300 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)
About The : 2.: ±20 V, Automobilstandard: AEC-Q101, MPN: SQM40016EM_GE3
Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 250 A 300 W, 7-Pin D2PAK (TO-263), Pinanzahl: 7 + Tab, Drain-Source-Widerstand max.: 1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Automobilstandard: AEC-Q101, MPN: SQM40016EM_GE3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 250 A 300 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 250 A 300 W, 7-Pin D2PAK (TO-263) | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
