Vishay Siliconix TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 10 A 13,6 W, 6-Pin SC-70-6L, Drain-Source-Widerstand max.: 80 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Automobilstandard: AEC-Q101, MPN: SQA405EJ-T1_GE3
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Vishay Siliconix TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 10 A 13,6 W, 6-Pin SC-70-6L
Specifications of Vishay Siliconix TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 10 A 13,6 W, 6-Pin SC-70-6L | |
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