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Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 60 A 65,7 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

About The 6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 5

Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 60 A 65,7 W, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 3.6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 5.99mm, MPN: SiR188DP-T1-RE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 60 A 65,7 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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Specifications of Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 60 A 65,7 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 60 A 65,7 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
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ROHM THT LED Gelb, Grün 2,1 V, 40 °C 3 mm (T-1) 60mW, Lichtstärke: 10 mcd, Linsenform: Dom, Wellenlänge typ.: 585 nm, Abmessungen: 3.8 Dia.x 5.4mm, Durchlassstrom: 10mA, Linsenoberfläche: Streufilter, MPN: SLR-343YY3F
    • ROHM THT LED Rot 2 V, 40 °C 3 mm (T-1) 60mW, Lichtstärke: 25 mcd, Linsenform: Dom, Wellenlänge typ.: 650 nm, Abmessungen: 3.8 Dia.x 5.4mm, Durchlassstrom: 10mA, Linsenoberfläche: Farbig transparent, MPN: SLR-343VC3F
    • Vishay Siliconix TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 16 A 45 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L, Drain-Source-Widerstand max.: 90 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Automobilstandard: AEC-Q101, MPN: SQJ481EP-T1_GE3
    • Vishay Siliconix TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,68 A 13,6 W, 6-Pin SC-70-6L, Drain-Source-Widerstand max.: 200 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±8 V, Automobilstandard: AEC-Q101, MPN: SQA401EEJ-T1_GE3
    • Vishay Siliconix TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,68 A 13,6 W, 6-Pin SC-70-6L, Drain-Source-Widerstand max.: 200 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±8 V, Automobilstandard: AEC-Q101, MPN: SQA401EEJ-T1_GE3