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Vishay Siliconix TrenchFET N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 30 A 34 W, 34 W, 4-Pin PowerPak SO-8L Dual

About The 5V, Gate-Schwellenspannung min.Vishay Siliconix TrenchFET N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 30 A 34 W, 34 W, 4-Pin PowerPak SO-8L Dual, Dauer-Drainstrom max

Vishay Siliconix TrenchFET N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 30 A 34 W, 34 W, 4-Pin PowerPak SO-8L Dual, Dauer-Drainstrom max.: 30 A (N-Kanal), 30 A (P-Kanal), Drain-Source-Widerstand max.: 30 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Verlustleistung max.: 34 W (N-Kanal), 34 W (P-Kanal), Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Automobilstandard: AEC-Q101, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, MPN: SQJ504EP-T1_GE3

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Vishay Siliconix TrenchFET N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 30 A 34 W, 34 W, 4-Pin PowerPak SO-8L Dual

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Specifications of Vishay Siliconix TrenchFET N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 30 A 34 W, 34 W, 4-Pin PowerPak SO-8L Dual

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Vishay Siliconix TrenchFET N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 30 A 34 W, 34 W, 4-Pin PowerPak SO-8L Dual
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StarTech.com Adapter 1920 x 1200, Ausgänge:1, In:Mini-DisplayPort, Out:DVI, 120mm Kabel, Distrelec Product Id: 30233196, MPN: MDP2DVIS

StarTech.com Adapter 1920 x 1200, Ausgänge:1, In:Mini-DisplayPort, Out:DVI, 120mm Kabel, Distrelec Product Id: 30233196, MPN: MDP2DVIS

com Adapter 1920 x 1200, Ausgänge:1, In:Mini-DisplayPort, Out:DVI, 120mm Kabel.StarTech.

    • ROHM Spannungsregler 200mA, 1 Niedrige Abfallspannung SOT-223-4F, 4-Pin, Fest, Ausgangsspannung: 3,3 V, Line-Regulation: 20 mV, Genauigkeit: ±2%, Montage-Typ: SMD, Polarität: Positiv, Abmessungen: 6.53 x 3.43 x 1.6mm, Eingangsspannung max.: 45 V, MPN: BD733L2FP3-CE2
    • ROHM THT LED Gelb, Grün 2,1 V, 40 °C 3 mm (T-1) 60mW, Lichtstärke: 10 mcd, Linsenform: Dom, Wellenlänge typ.: 585 nm, Abmessungen: 3.8 Dia.x 5.4mm, Durchlassstrom: 10mA, Linsenoberfläche: Streufilter, MPN: SLR-343YY3F
    • ROHM THT LED Rot 2 V, 40 °C 3 mm (T-1) 60mW, Lichtstärke: 25 mcd, Linsenform: Dom, Wellenlänge typ.: 650 nm, Abmessungen: 3.8 Dia.x 5.4mm, Durchlassstrom: 10mA, Linsenoberfläche: Farbig transparent, MPN: SLR-343VC3F
    • Vishay Siliconix TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 16 A 45 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L, Drain-Source-Widerstand max.: 90 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Automobilstandard: AEC-Q101, MPN: SQJ481EP-T1_GE3
    • Vishay Siliconix TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,68 A 13,6 W, 6-Pin SC-70-6L, Drain-Source-Widerstand max.: 200 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±8 V, Automobilstandard: AEC-Q101, MPN: SQA401EEJ-T1_GE3
    • Vishay Siliconix TrenchFET N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 30 A 34 W, 34 W, 4-Pin PowerPak SO-8L Dual, Dauer-Drainstrom max.: 30 A (N-Kanal), 30 A (P-Kanal), Drain-Source-Widerstand max.: 30 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Verlustleistung max.: 34 W (N-Kanal), 34 W (P-Kanal), Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Automobilstandard: AEC-Q101, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, MPN: SQJ504EP-T1_GE3
    • Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 60 A 65,7 W, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 3.6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 5.99mm, MPN: SiR188DP-T1-RE3
    • Vishay Siliconix TrenchFET N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 30 A 34 W, 34 W, 4-Pin PowerPak SO-8L Dual, Dauer-Drainstrom max.: 30 A (N-Kanal), 30 A (P-Kanal), Drain-Source-Widerstand max.: 30 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Verlustleistung max.: 34 W (N-Kanal), 34 W (P-Kanal), Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Automobilstandard: AEC-Q101, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, MPN: SQJ504EP-T1_GE3
    • Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 60 A 65,7 W, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 3.6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 5.99mm, MPN: SiR188DP-T1-RE3