Onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 11,5 A 42 W, 3-Pin TO-220F

Name: Onsemi, Onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 11,5 A 42 W, 3-Pin TO-220F, Drain-Source-Widerstand Max.: 520 MΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung Min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung Max.: –25 V, +25 V, Länge: 10.36mm, Betriebstemperatur Max.: +150 °C, MPN: FDPF12N50NZ
Brand: onsemi
SKU: ABDU-131025
Price: 1.88 EUR
Availability: InStock

About The : 520 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: +150 °C, MPN: FDPF12N50NZ

onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 11,5 A 42 W, 3-Pin TO-220F, Drain-Source-Widerstand max.: 520 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 10.36mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FDPF12N50NZ

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay MMB0207 Dünnschicht SMD-Widerstand 1.5Ω ±1% / 0.4W ±50ppm/°C, Melf 0207 Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: MMB02070C1508FB200

Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 17 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 0,28 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, MPN: IPP80R280P7XKSA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 11,5 A 42 W, 3-Pin TO-220F
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Last Updated January 7th, 2025 08:06 pm

Onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 11,5 A 42 W, 3-Pin TO-220F

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LEMO 0T M9 Rundsteckverbinder Buchse 9-polig / 2.0A, Tafelmontage, Lötanschluss IP66, IP68, Kontakt Gender: Buchsenkontakt, Anschlussart: Löten, Gehäuseausrichtung: Gerade, Betriebsspannung: 30,0 V, 42,0 V, Verbindungstyp: Push-Pull, Gehäusematerial: Messing, Kontakt-Format: 9P, Kontaktbeschichtung: Nickel, MPN: EGG.0T.309.CLL

0A, Tafelmontage, Lötanschluss IP66, IP68.LEMO 0T M9 Rundsteckverbinder Buchse 9-polig / 2.

Ansell Lighting 4lite UK LED Lichtleiste, 230 V / 25 W 3125 lm, 35 mm x 55 mm x 1,5 m, Leistentyp: Einfach, Typ: LED-Leiste, Nennspannung: 240 V, Korrosionsschutz: Ja, Schutzart: IP65, MPN: 4L3/1111

Ansell Lighting 4lite UK LED Lichtleiste, 230 V / 25 W 3125 lm, 35 mm x 55 mm x 1,5 m.

Vishay MMB0207 Dünnschicht SMD-Widerstand 12kΩ ±1% / 0.4W ±50ppm/°C, Melf 0207 Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: MMB02070C1202FB200

Vishay MMB0207 Dünnschicht SMD-Widerstand 12kΩ ±1% / 0.

Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 12,5 A, 3-Pin IPAK SL (TO-251 SL), MPN: IPSA70R360P7SAKMA1

Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 12,5 A, 3-Pin IPAK SL (TO-251 SL).

Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 12,5 A, 3-Pin IPAK SL (TO-251 SL), MPN: IPSA70R360P7SAKMA1

Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 12,5 A, 3-Pin IPAK SL (TO-251 SL).

Onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 11,5 A 42 W, 3-Pin TO-220F

About The : 520 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: +150 °C, MPN: FDPF12N50NZ

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Specifications of Onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 11,5 A 42 W, 3-Pin TO-220F

Ansell Lighting 4lite UK LED Lichtleiste, 230 V / 25 W 3125 lm, 35 mm x 55 mm x 1,5 m, Leistentyp: Einfach, Typ: LED-Leiste, Nennspannung: 240 V, Korrosionsschutz: Ja, Schutzart: IP65, MPN: 4L3/1111

Vishay MMB0207 Dünnschicht SMD-Widerstand 12kΩ ±1% / 0.4W ±50ppm/°C, Melf 0207 Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: MMB02070C1202FB200

Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 12,5 A, 3-Pin IPAK SL (TO-251 SL), MPN: IPSA70R360P7SAKMA1

Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 12,5 A, 3-Pin IPAK SL (TO-251 SL), MPN: IPSA70R360P7SAKMA1