Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 87 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
About The : 2.25V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: IRF3709ZSTRRPBF
Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 87 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0078 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 2.25V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: IRF3709ZSTRRPBF
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 87 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 87 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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