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Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 288 A, 8-Pin PQFN 3 X 3

About The : 0,0034 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 288 A, 8-Pin PQFN 3 x 3, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0034 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: ISZ034N06LM5ATMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 288 A, 8-Pin PQFN 3 X 3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 288 A, 8-Pin PQFN 3 X 3

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Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 288 A, 8-Pin PQFN 3 X 3
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