Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 288 A, 8-Pin PQFN 3 x 3, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0034 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: ISZ034N06LM5ATMA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 288 A, 8-Pin PQFN 3 X 3
Specifications of Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 288 A, 8-Pin PQFN 3 X 3 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |