OSI Optoelectronics DP Fotodiode IR 970nm Si, THT TO5-Gehäuse 3-Pin

Name: OSI Optoelectronics: OSI Optoelectronics DP Fotodiode IR 970nm Si, THT TO5-Gehäuse 3-Pin, Verstärkerfunktion: Nein, Wellenlänge Min.: 350nm, Wellenlänge Max.: 1100nm, Länge: 8.255mm, Höhe über Panel: 4.572mm, Nebenwiderstand: 4000000KΩ, Regelanstiegszeit: 60ns, MPN: PIN-5DPI
Brand: OSI Optoelectronics
SKU: ABDU-134826
Price: 149.86 EUR
Availability: InStock

About The : 350nm, Wellenlänge max.OSI Optoelectronics DP Fotodiode IR 970nm Si, THT TO5-Gehäuse 3-Pin, Verstärkerfunktion: Nein, Wellenlänge min

OSI Optoelectronics DP Fotodiode IR 970nm Si, THT TO5-Gehäuse 3-Pin, Verstärkerfunktion: Nein, Wellenlänge min.: 350nm, Wellenlänge max.: 1100nm, Länge: 8.255mm, Höhe über Panel: 4.572mm, Nebenwiderstand: 4000000KΩ, Regelanstiegszeit: 60ns, MPN: PIN-5DPI

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Displays und Optoelektronik > Optokoppler und Photodetektoren > Fotodioden

Yageo Dickschicht SMD-Widerstand 120Ω ±5% / 0.0625W, 0402 (1005M) Gehäuse, MPN: RC0402JR-07120RL

Panasonic, SMD Elektrolyt Kondensator 1000μF ±20% / 6.3V dc, Ø 10mm x 10.2mm, bis 105°C, Kapazität: 1000µF, Spannung: 6.3V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Technologie: Aluminium-Elektrolyt, Abmessungen: 10 (Dia.) x 10.2mm, Betriebstemperatur min.: -40°C, Betriebstemperatur max.: +105°C, Anschlussraster: 4.6mm, Lebensdauer: 1000h, Leckstrom: 63 μA, Polarisiert: Polar, Brummstrom: 670mA, Serie: FC SMD, MPN: EEEFC0J102P

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Specifications of OSI Optoelectronics DP Fotodiode IR 970nm Si, THT TO5-Gehäuse 3-Pin
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Last Updated December 20th, 2024 04:41 pm

OSI Optoelectronics DP Fotodiode IR 970nm Si, THT TO5-Gehäuse 3-Pin

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Telemecanique Sensors General Purpose M30 Näherungssensor Induktiv, Gewinderohr 20 mm PNP 10 36 V dc, 12 24 V dc / 200, Ausgabefunktion: NO, Kabellänge: 2m, Verbindungstyp: Vorverdrahtet, Versorgungsspannung: 10 36 V dc, 12 24 V dc, IP Schutzart: IP68, IP69K, Länge: 43mm, Montagetyp: Bündig, Gehäusematerial: Messing vernickelt, Gleichspannung max.: 36V, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: XS1N30PA349TF

Telemecanique Sensors General Purpose M30 Näherungssensor Induktiv, Gewinderohr 20 mm PNP 10 36 V dc, 12 24 V dc / 200.

ABB SICHERUNGSAUTOMAT S202M-C1,6H10, MPN: 2CDV272001R0974

ABB SICHERUNGSAUTOMAT S202M-C1,6H10.

Schneider Electric Harmony XB6 Wahlschalter 2-Stufen komplette Einheit Griff, 250V / 3 A, 220mA IP 65, SPDT Wurfwinkel, Wahlschalter, komplette Einheit: Wahlschalter, komplette Einheit, Schaltwinkel: 60°, Ausschnitt-Durchmesser: 16mm, Anschlussart: Schnellverbindung, Better World-Produkt: Ja, Better World-Verifizierung: Green Premium, Abmessungen: 18 x 18 x 68mm, MPN: XB6CD225B

Schneider Electric Harmony XB6 Wahlschalter 2-Stufen komplette Einheit Griff, 250V / 3 A, 220mA IP 65, SPDT Wurfwinkel.

Molex KK 396 Steckverbindergehäuse Buchse 3.96mm, 7-polig / 1-reihig Gerade, Kabelmontage für KK-Steckverbinder, Länge: 27.64mm, Breite: 6.4mm, Gehäusematerial: Nylon, MPN: 09-50-3071

Molex KK 396 Steckverbindergehäuse Buchse 3.96mm, 7-polig / 1-reihig Gerade, Kabelmontage für KK-Steckverbinder.

STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 5 A 45 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 900 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 2.4mm, MPN: STD7NM60N

STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 5 A 45 W, 3-Pin DPAK (TO-252).

Panasonic, SMD Elektrolyt Kondensator 1000μF ±20% / 6.3V dc, Ø 10mm x 10.2mm, bis 105°C, Kapazität: 1000µF, Spannung: 6.3V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Technologie: Aluminium-Elektrolyt, Abmessungen: 10 (Dia.) x 10.2mm, Betriebstemperatur min.: -40°C, Betriebstemperatur max.: +105°C, Anschlussraster: 4.6mm, Lebensdauer: 1000h, Leckstrom: 63 μA, Polarisiert: Polar, Brummstrom: 670mA, Serie: FC SMD, MPN: EEEFC0J102P

3V dc, Ø 10mm x 10.2mm, bis 105°C.Panasonic, SMD Elektrolyt Kondensator 1000μF ±20% / 6.