Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 238 A, 8-Pin TDSON-8 FL, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0012 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.8V, MPN: ISC012N04LM6ATMA1
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Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 238 A, 8-Pin TDSON-8 FL
Specifications of Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 238 A, 8-Pin TDSON-8 FL | |
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