Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 180 A 370 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Länge: 10.67mm, MPN: IRLB4030PBF
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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 180 A 370 W, 3-Pin TO-220AB
Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 180 A 370 W, 3-Pin TO-220AB | |
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