Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 13 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,295 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: AUIRFR6215TRL
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Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 13 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 13 A, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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