onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 10 A 2,4 W, 900 mW, 6-Pin MicroFET 2 x 2, Gehäusegröße: MLP, Drain-Source-Widerstand max.: 19 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 0.75mm, Länge: 2mm, MPN: FDMA8051L
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Onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 10 A 2,4 W, 900 MW, 6-Pin MicroFET 2 X 2
Specifications of Onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 10 A 2,4 W, 900 MW, 6-Pin MicroFET 2 X 2 | |
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